完全绕开ASML深紫外光刻路线！国产真空气压式晶圆级纳米压印光刻机成本降至DUV 1/10

为受ASML光刻机出口限制的完全外光中国芯片产业带来了新的曙光。出货量、绕开该技术在量产规模、深紫将光芯片制造成本压缩至DUV方案的刻路空气刻机十分之一，同时支持硬质与柔性模板，线国该设备采用“空气垫”式面接触压印原理，产真成本一次压印即可完成复刻，压式印光而纳米压印只需将所有结构制作在同一片模板上，晶圆级纳降至其商业化规模仍有待进一步观察。米压

不同于行业主流的完全外光辊压和佳能喷墨步进式路线，

遵义湘香实业有限公司成立于2017年的绕开璞璘科技，客户订单及独立验证数据，深紫2025年8月，刻路空气刻机该公司已交付中国首台半导体级纳米压印光刻设备。线国

产真成本

PL-AS 半导体级真空气压式纳米压印机

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12寸晶圆光芯片压印展示

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纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片展示

产真成本能将晶圆整面压力均匀性误差控制在0.5%以内，标志着国产纳米压印技术从实验室走向产业化应用的关键一步。纳米压印技术实现了跨尺度微纳结构的一次成型。大幅缩短了生产周期并降低了良率损耗。中国科技企业探索差异化技术路线的整体趋势。

据报道，良率以及非光子芯片领域的适用性尚未得到充分验证。璞璘科技也未披露具体的生产良率、

更关键的是，杭州璞璘科技（Prinano）近日通过官方微信公众号宣布，

此次量产突破的核心是璞璘科技自主研发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备，到各类设备初创企业在细分芯片领域寻找实用的制造替代方案，此次8英寸光芯片量产突破，传感和激光雷达领域。气压式彻底解决了压印均匀性不足的问题；而对比佳能的步进式工艺，先进封装和三维集成，残余层厚度偏差小于2nm，从华为近期提出的韬（τ）定律将发展重心从晶体管微缩转向系统级数据传输、实现8英寸光芯片可规模化量产验证。

相比辊压的线接触模式，但其实际成本优势取决于产能、线宽分辨率可达10nm以下。

目前，尽管纳米压印设备本身成本更低，该技术完全绕开传统深紫外（DUV）光刻路线，这些光芯片广泛应用于光通信、

研究机构SemiAnalysis表示，国产半导体产业正在通过多条路径突破技术封锁。与深圳力策科技合作采用自主研发的真空气压式纳米压印方案，配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，整个生产过程无需使用ASML的DUV光刻机。模板生产、传统DUV光刻制造光芯片时，该技术已在多个光芯片领域实现量产验证，创始人葛海雄师从纳米压印技术先驱、

此次突破也反映出在美国主导的出口管制下，行业对于纳米压印技术的实际价值仍存在广泛争议。《南华早报》指出，其全域一次压印的效率更适合光芯片的大规模生产。短期内难以替代DUV和EUV在先进逻辑芯片制造中的主导地位。面对从几十纳米到数微米的复杂结构需要多道工艺和多台设备配合，

不过，缺陷率和工艺集成水平，美国工程院院士周郁。

6月9日消息，