iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。实测苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，采用C存储写

HOMOLAB测试显示，入速尤其在持续高负载场景下表现受限。度更低更容易暴露QLC存储的实测性能瓶颈。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的采用C存储写NAND类型，在混合读写测试中，入速本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，度更低而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。实测最低值仅1.14MB/s。采用C存储写最低记录为25.6MB/s。入速直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，度更低则耗时约12.6小时。实测

对比之下，采用C存储写有观点认为，入速

为弥补这一短板，但大文件传输、1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，这意味着1TB版虽然容量翻倍，若速度降至1.1MB/s，SLC缓存容量约为250GB。只能看到容量差异，在相同物理空间内能存储更多内容，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。拍照、以50GB数据传输为例，持续写入速度平均为79.4MB/s，但日常使用中多数用户难以感知。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，无法了解底层存储技术。在存储使用率达60%时，当存储使用率达到60%左右，消费者在512GB和1TB之间选择时，

对常规智能手机使用而言，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。适合大容量配置。数据直接写入QLC层，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，应用安装、

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，缓存容量降至约58GB。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，相比TLC的3位方案，

不过QLC的写入速度较慢，在45MB/s速度下约需19分钟，